EPC Tranzystory GaN FET

Wyniki: 56
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Tryb kanału Nazwa handlowa
EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 1 926Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 46 A 5.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 7.3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 800Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 126 A 2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 20 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN 10 455Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

SMD/SMT QFN-5 N-Channel 1 Channel 100 V 101 A 1.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 17 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm 2 016Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT LGA-4 N-Channel 1 Channel 50 V 9.6 A 8.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN 12 666Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

SMD/SMT FCQFN-7 N-Channel 1 Channel 200 V 133 A 5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 21 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 13 697Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 63 A 3.1 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12.3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 10 499Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 80 V 133 A 1 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 28 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3 960Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT LGA-22 N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 18 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 1 839Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 1 594Na stanie magazynowym
5 000Oczekiwane: 17.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 80 V 60 A 3.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 10.5 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA 12 094Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 1 Channel 80 V 8.2 A 11 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm 3 345Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 22 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 4 918Na stanie magazynowym
15 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 200 V 63 A 10 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 10.1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 4 397Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 150 V 63 A 6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 11.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 12 577Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3 4 712Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 500

SMD/SMT LGA-30 N-Channel 1 Channel 80 V 90 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6 11 035Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 200 V 32 A 8 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 13.6 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 14 206Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 133 A 1.8 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 23 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1 3 815Na stanie magazynowym
12 500Oczekiwane: 27.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT LGA-5 N-Channel 1 Channel 40 V 10 A 16 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 7 164Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 60 V 1.7 A 45 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 880 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 12 098Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 73 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 700 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 12 692Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 550 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 115 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 11 502Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 500 mA 3.3 Ohms 6 V 2.5 V 44 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 4 137Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 15 V 3.4 A 30 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 745 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95 2 163Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT BGA-12 N-Channel 1 Channel 350 V 6.3 A 80 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET