Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

EPC2302

Name: EPC EPC2302
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2302
Price: 28.52 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

65-EPC2302

Nr prod.:

EPC2302

Produc.:

EPC

Opis:

GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Cykl życia:

Nowości w Mouser

Karta charakterystyki:

EPC2302 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o EPC EPC2302

Na stanie magazynowym: 14 106

Stany magazynowe:: 14 106 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	28,52 zł	28,52 zł
	19,74 zł	197,40 zł
	15,20 zł	1 520,00 zł
	14,32 zł	14 320,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	13,27 zł	39 810,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	EPC
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	QFN-7
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	133 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1.8 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	6 V, - 4 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	23 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	eGaN FET
Marka:	EPC
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	MY
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Produkt:	Power Transistor
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Jednostka masy:	31,300 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

EPC2302 Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Efficient Power Conversion (EPC) EPC2302 Enhancement-Mode Gallium Nitride (GaN) Power Transistor is engineered for high-frequency DC-DC applications to/from 40V to 60V and 48V BLDC motor drives. This eGaN^® FET features 1.8mΩ maximum drain-source on resistance R_DS(on) and 100V drain-source breakdown voltage (continuous) V_DS in a low inductance 3mm x 5mm QFN package. The package has side-wettable flanks and an exposed top for excellent thermal management. The thermal resistance to the case top is ~0.2°C/W, offering excellent thermal behavior and easy cooling. The EPC2302 enhancement-mode power transistor from EPC enables efficient operation in many topologies while improving efficiency and saving space.