EPC2308

EPC
65-EPC2308
EPC2308

Produc.:

Opis:
GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Cykl życia:
Nowości w Mouser
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 4 897

Stany magazynowe:
4 897 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
20,16 zł 20,16 zł
13,44 zł 134,40 zł
9,62 zł 962,00 zł
8,61 zł 4 305,00 zł
8,32 zł 8 320,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
7,27 zł 21 810,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
EPC
Kategoria produktów: Tranzystory GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-7
N-Channel
1 Channel
150 V
63 A
6 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
11.7 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marka: EPC
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: MY
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Opakowanie: Reel
Opakowanie: Cut Tape
Produkt: Power Transistor
Rodzaj produktu: GaN FETs
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Technologia: GaN
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Jednostka masy: 30,300 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99