Tranzystory GaN FET

 Tranzystory GaN FET
GaN FETs are available at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many GaN FET manufacturers including Infineon, MACOM, Qorvo & more. Please view our selection of GaN FETs below.
Wyniki: 478
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Nazwa handlowa
Qorvo GaN FETs Redesign of QPD1004 49Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 100

SMD/SMT DFN-8 2 Channel 145 V 3.6 A - 7 V, 2 V - 40 C + 85 C 27.6 W
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 4 262Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 67 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement
Qorvo GaN FETs 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl 11Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT NI-780 65 V 19 A - 40 C + 85 C 400 W
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt 301Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 100 V 4.2 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz, PULSED,
20Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Screw Mount 440217 N-Channel 150 V 24 A - 3 V - 40 C + 125 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt 680Na stanie magazynowym
Min.: 10
Wielokr.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt 17Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt 501Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 2.7 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt 124Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
Qorvo GaN FETs DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN 209Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo GaN FETs 1500W, 65V,GaN pre-matched, 442(+/-5) MH 2Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Qorvo GaN FETs DC-2.7 GHz, 150W, 65V GaN RF Tr 34Na stanie magazynowym
100Oczekiwane: 28.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 100

MACOM GaN FETs GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt 81Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
Qorvo GaN FETs Redesign of QPD1011 70Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 100

SMD/SMT DFN-8 2 Channel 145 V 1.46 A - 7 V, 2 V - 40 C + 85 C 14.7 W
Qorvo GaN FETs Redesign of QPD1014 70Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 100

SMD/SMT DFN-8 2 Channel 145 V 1 A - 8 V, 2 V - 40 C + 85 C 15.8 W
Qorvo GaN FETs 1-1.5 GHz, 300W, NI-650 4Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
NI-650 33 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 285 W
MACOM GaN FETs 10W, 6.0GHz, GaN HEMT G28V4 (CG2H40010P) 246Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Qorvo GaN FETs DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr 22Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT NI780-2 N-Channel 145 V 70 A - 40 C + 85 C 714 W
Qorvo GaN FETs 450W 50V 1.2-1.4GHz GaN IMFET 18Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT NI-50CW N-Channel 14 A - 40 C + 85 C 445 W
Qorvo GaN FETs DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN 41Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo GaN FETs 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN 13Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount NI-1230-4 HEMT 2 Channel 65 V 28 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 685 W
Qorvo GaN FETs 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Flan 10Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT NI-780 65 V 19 A - 40 C + 85 C 400 W
MACOM GaN FETs GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt 58Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT 440196 N-Channel 120 V 7 A - 3.8 V - 40 C + 150 C 14 W
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor 695Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56 647Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C