EPC2014C

EPC
65-EPC2014C
EPC2014C

Produc.:

Opis:
GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1

Cykl życia:
Nowości w Mouser
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 3 815

Stany magazynowe:
3 815
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
12 500
Oczekiwane: 27.05.2026
Średni czas produkcji:
18
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
7,94 zł 7,94 zł
5,12 zł 51,20 zł
3,47 zł 347,00 zł
2,76 zł 1 380,00 zł
2,60 zł 2 600,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
2,29 zł 5 725,00 zł
2,26 zł 11 300,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
EPC
Kategoria produktów: Tranzystory GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
LGA-5
N-Channel
1 Channel
40 V
10 A
16 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
2 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marka: EPC
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: TW
Opakowanie: Reel
Opakowanie: Cut Tape
Produkt: Power Transistor
Rodzaj produktu: GaN FETs
Wielkość opakowania producenta: 2500
Podkategoria: Transistors
Technologia: GaN
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Jednostka masy: 3,300 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99