GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.

Wyniki: 33
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt 680Na stanie magazynowym
Min.: 10
Wielokr.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
20Na stanie magazynowym
Min.: 10
Wielokr.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 100 V 2 A 600 mOhms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt 2 534Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt 170Na stanie magazynowym
640Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt 112Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt 179Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 8.7 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt 4Na stanie magazynowym
175Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt 66Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt 2Na stanie magazynowym
10Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT 1 Channel 125 V - 3 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 5Na stanie magazynowym
1 200Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 200

SMD/SMT QFN-6 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt 10Na stanie magazynowym
Min.: 10
Wielokr.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
567Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT 440109 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
471Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 4.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
21Oczekiwane: 14.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
750Oczekiwane: 15.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 950 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
344Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 100 V 4.2 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt Czas realizacji 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 100
Wielokr.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 1.5 A 1 Ohms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440162 N-Channel 150 V 18 A - 3 V - 40 C + 130 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt Czas realizacji 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440117 N-Channel 150 V 36 A - 3 V - 40 C + 130 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 10
Wielokr.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 100 V 800 mA 2.3 Ohms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 250
Wielokr.: 250
: 250

SMD/SMT QSOP-20 N-Channel 150 V 6.3 A - 3 V - 40 C + 90 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
70Na stanie magazynowym
Min.: 10
Wielokr.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 200 mOhms - 3 V + 225 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
30Na stanie magazynowym
Min.: 10
Wielokr.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 50 V