GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.

Wyniki: 33
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
700Na stanie magazynowym
Min.: 10
Wielokr.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
Karta charakterystyki
21Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
Karta charakterystyki
143Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
10Na stanie magazynowym
Min.: 10
Wielokr.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
Karta charakterystyki
93Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
50Na stanie magazynowym
Min.: 10
Wielokr.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 1.5 A 1 Ohms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
Karta charakterystyki
394Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT 440109 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
Karta charakterystyki
1 119Na stanie magazynowym
480Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 200

SMD/SMT QFN-6 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
Karta charakterystyki
3 326Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
Karta charakterystyki
388Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
Karta charakterystyki
183Na stanie magazynowym
400Oczekiwane: 18.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 4.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
Karta charakterystyki
33Na stanie magazynowym
100Oczekiwane: 06.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
Karta charakterystyki
375Na stanie magazynowym
250Oczekiwane: 09.04.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 950 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
Karta charakterystyki
364Na stanie magazynowym
250Oczekiwane: 27.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 8.7 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
Karta charakterystyki
10Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT 1 Channel 125 V - 3 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
20Na stanie magazynowym
Min.: 10
Wielokr.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 100 V 2 A 600 mOhms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
Karta charakterystyki
5Na stanie magazynowym
100Oczekiwane: 03.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 100 V 4.2 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt
Karta charakterystyki
Czas realizacji 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 25
Wielokr.: 25

Screw Mount 440162 N-Channel 150 V 18 A - 3 V - 40 C + 130 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 10
Wielokr.: 10

Screw Mount 440117 N-Channel 150 V 36 A - 3 V - 40 C + 130 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 10
Wielokr.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 100 V 800 mA 2.3 Ohms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 250
Wielokr.: 250
Szpula: 250

SMD/SMT QSOP-20 N-Channel 150 V 6.3 A - 3 V - 40 C + 90 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Czas realizacji 26 tygodni
Min.: 10
Wielokr.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
40Na stanie magazynowym
Min.: 10
Wielokr.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 120 V 6 A 250 mOhms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
30Na stanie magazynowym
Min.: 10
Wielokr.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 50 V