CGH40120F

MACOM
941-CGH40120F
CGH40120F

Produc.:

Opis:
GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Średni czas produkcji:
26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
1 919,11 zł 1 919,11 zł
1 635,61 zł 16 356,10 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
MACOM
Kategoria produktów: Tranzystory GaN FET
RoHS:  
Screw Mount
440193
N-Channel
120 V
12 A
- 3 V
- 40 C
+ 150 C
Marka: MACOM
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: US
Zestaw projektowy: CGH40120F-TB
Wzmocnienie: 19 dB
Maksymalna częstotliwość robocza: 2.5 GHz
Minimalna częstotliwość robocza: 1 GHz
Moc wyjściowa: 120 W
Opakowanie: Tray
Produkt: GaN HEMTs
Rodzaj produktu: GaN FETs
Wielkość opakowania producenta: 25
Podkategoria: Transistors
Technologia: GaN
Rodzaj tranzystora: GaN HEMT
Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło: - 10 V to 2 V
Jednostka masy: 30,467 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99