Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

CGH40010F

Name: MACOM CGH40010F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH40010F
Price: 398.66 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

941-CGH40010F

Nr prod.:

CGH40010F

Produc.:

MACOM

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: 2 693 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	MACOM
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	440166
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	120 V
Id – Ciągły prąd drenu:	1.5 A
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	- 3 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Marka:	MACOM
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	US
Zestaw projektowy:	CGH40010-TB
Wzmocnienie:	14.5 dB
Maksymalna częstotliwość robocza:	6 GHz
Minimalna częstotliwość robocza:	2 GHz
Moc wyjściowa:	12.5 W
Opakowanie:	Tray
Produkt:	GaN HEMTs
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	GaN HEMT
Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło:	- 10 V to 2 V
Jednostka masy:	7,396 g