Microchip Moduły MOSFET SIC

Wyniki: 119
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Microchip Technology SiC MOSFETs FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
Karta charakterystyki
862Na stanie magazynowym
270Oczekiwane: 27.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4
Karta charakterystyki
150Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 112 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 215 nC - 55 C + 175 C 524 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
Karta charakterystyki
258Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 232 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
Karta charakterystyki
67Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 40 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 137 nC - 55 C + 175 C 323 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268
Karta charakterystyki
44Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 50 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 137 nC - 55 C + 175 C 303 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-268
Karta charakterystyki
98Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 65 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 206 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
Karta charakterystyki
65Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 33 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 109 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
Karta charakterystyki
115Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Thorugh Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 53 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 256 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch
Karta charakterystyki
120Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 60 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 61 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch
Karta charakterystyki
81Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 107 mOhms - 10 V, + 21 V 5 V 34 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm TO-247-4 Notch
Karta charakterystyki
115Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 24 mOhms - 10 V, 21 V 3 V 136 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm TO-247-4 Notch
Karta charakterystyki
115Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 40 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 91 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm TO-247-4 Notch
Karta charakterystyki
117Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 80 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 45 nC - 55 C + 175 C 192 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4 Notch
Karta charakterystyki
310Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 112 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 215 nC - 55 C + 175 C 524 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 3300V 80 mOhm TO-247-4L-Notch
Karta charakterystyki
69Na stanie magazynowym
150Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 3.3 kV 41 A 105 mOhms - 10 V, + 23 V 2.97 V 55 nC - 55 C + 150 C 381 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247-4 Notch
Karta charakterystyki
20Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 119 A 22 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 194 nC - 55 C + 175 C 577 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
Karta charakterystyki
19Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 113 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 232 nC - 55 C + 175 C 577 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247-4 Notch
Karta charakterystyki
54Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 75 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 93 nC - 55 C + 175 C 304 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
Karta charakterystyki
58Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 71 A 50 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 137 nC - 55 C + 175 C 371 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-268
Karta charakterystyki
91Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 112 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 215 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247
Karta charakterystyki
142Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 113 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 232 nC - 55 C + 175 C 577 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247
Karta charakterystyki
90Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 68 A 45 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 178 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247
Karta charakterystyki
178Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 100 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 64 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247-4
Karta charakterystyki
38Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 113 A 17.6 mOhms - 10 V, + 23 V 2.7 V - 55 C + 175 C 455 W
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4
Karta charakterystyki
318Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 68 A 35 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 178 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement