Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

MSC080SMA330B4N

Name: Microchip MSC080SMA330B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC080SMA330B4N
Price: 227.93 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

579-MSC080SMA330B4N

Nr prod.:

MSC080SMA330B4N

Produc.:

Microchip Technology

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: 1 210 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 4 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	227,93 zł	227,93 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Microchip
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	3.3 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	41 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	105 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 23 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.97 V
Qg – ładunek bramki:	55 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	381 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	Microchip Technology
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	32 ns
Opakowanie:	Tube
Produkt:	SiC MOSFETS
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	25 ns
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Rodzaj:	Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	50 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	34 ns