STMicroelectronics Moduły MOSFET SIC

Wyniki: 69
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 29 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 82.5 nC - 55 C + 175 C 388 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 17 tygodni
Min.: 600
Wielokr.: 600

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 76 nC - 55 C + 200 C 398 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 17 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 90 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 120 nC - 55 C + 200 C 486 W
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 17 tygodni
Min.: 600
Wielokr.: 600

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 19 tygodni
Min.: 1 800
Wielokr.: 1 800
Szpula: 1 800

STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 600
Wielokr.: 600

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 17 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 41 nC - 55 C + 200 C 236 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 17 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 19 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole STPAK-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 239 A 10.5 nC - 10 V, + 22 V 4.4 V 304 nC - 55 C + 200 C 994 W
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 19 tygodni
Min.: 448
Wielokr.: 448

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 239 A 10.5 mOhms -10 V, 22 V 4.4 V 304 nC - 55 C + 200 C 994 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 32 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.45 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement
STMicroelectronics SCT012HU90G3AG
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 600
Wielokr.: 600
Szpula: 600

STMicroelectronics SCT019H120G3AG
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

STMicroelectronics SCT040H65G3-7
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

STMicroelectronics SCT040W65G3AG
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 17 tygodni
Min.: 600
Wielokr.: 600

STMicroelectronics SCT055H65G3-7
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

STMicroelectronics SCT055H65G3AG
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000