SCT055H65G3-7
511-SCT055H65G3-7
SCT055H65G3-7
Produc.:
Opis:
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Karta charakterystyki:
Dostępność
-
Stany magazynowe:
-
Niedostępne na stanieWystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
-
Średni czas produkcji:
-
21 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE
Cennik (PLN)
| Il. | Cena jednostkowa |
wewn. Cena
|
|---|---|---|
| Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000) | ||
| 18,06 zł | 18 060,00 zł | |
- TARIC:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
