Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

SCT018W65G3AG

Name: STMicroelectronics SCT018W65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT018W65G3AG
Price: 43.76 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-SCT018W65G3AG

Nr prod.:

SCT018W65G3AG

Produc.:

STMicroelectronics

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 21 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 600 Wielokrotności: 600

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	HiP247-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	55 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	27 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	-10 V, 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.2 V
Qg – ładunek bramki:	76 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 200 C
Pd – strata mocy:	398 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q100
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	17 ns
Opakowanie:	Tube
Produkt:	SiC MOSFETS
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	8 ns
Wielkość opakowania producenta:	600
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	36 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	17 ns