.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STMicroelectronics Moduły MOSFET SIC

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 69

Zastosowane filtry:

Marka = STMicroelectronics

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Polaryzacja tranzystora

Liczba kanałów

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Minimalna temperatura robocza

Maksymalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Tryb kanału

Kwalifikacje

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Nr części

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

SCT019HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 74,22 zł
252Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 16.11.2026
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT019HU120G3AG

Nr części Mouser
511-SCT019HU120G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

252Na stanie magazynowym

600Oczekiwane: 16.11.2026

Odcinek taśmy

74,22 zł

61,06 zł

52,80 zł

Opakowanie zbiorcze

52,80 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 600

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: 41,88 zł
969Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT040H65G3AG

Nr części Mouser
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

969Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

41,88 zł

29,03 zł

24,51 zł

Opakowanie zbiorcze

20,81 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package

SCTW70N120G2V
STMicroelectronics
1: 102,34 zł
714Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCTW70N120G2V

Nr części Mouser
511-SCTW70N120G2V

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

714Na stanie magazynowym

102,34 zł

80,50 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

91 A

21 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

150 nC

- 55 C

+ 200 C

547 W

Enhancement

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL35N65G2V
STMicroelectronics
1: 59,25 zł
2 329Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCTL35N65G2V

Nr części Mouser
511-SCTL35N65G2V

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

2 329Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

59,25 zł

41,88 zł

38,49 zł

38,44 zł

Opakowanie zbiorcze

32,72 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

67 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

417 W

Enhancement

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

SCTW90N65G2V
STMicroelectronics
1: 83,55 zł
47Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 20.04.2026

Produc. Nr części
SCTW90N65G2V

Nr części Mouser
511-SCTW90N65G2V

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

47Na stanie magazynowym

600Oczekiwane: 20.04.2026

83,55 zł

74,78 zł

67,08 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

90 A

25 mOhms

- 10 V, + 22 V

1.9 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

390 W

Enhancement

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1: 86,26 zł
882Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT016H120G3AG

Nr części Mouser
511-SCT016H120G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

882Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

86,26 zł

62,35 zł

62,31 zł

62,22 zł

Opakowanie zbiorcze

52,89 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

112 A

22 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
1: 92,49 zł
274Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 09.03.2026
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT011HU75G3AG

Nr części Mouser
511-SCT011HU75G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

274Na stanie magazynowym

600Oczekiwane: 09.03.2026

Odcinek taśmy

92,49 zł

67,98 zł

67,94 zł

Opakowanie zbiorcze

57,75 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

110 A

15 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.2 V

154 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: 76,76 zł
640Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT012W90G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT012W90G3-4AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

640Na stanie magazynowym

76,76 zł

65,40 zł

56,59 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 75,85 zł
739Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT020HU120G3AG

Nr części Mouser
511-SCT020HU120G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

739Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

75,85 zł

62,82 zł

54,31 zł

Opakowanie zbiorcze

50,40 zł

Oferta

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 70,65 zł
513Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT020W120G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT020W120G3-4AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

513Na stanie magazynowym

70,65 zł

58,27 zł

57,79 zł

56,80 zł

Przeglądaj

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

Hip247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: 66,74 zł
502Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT025W120G3AG

Nr części Mouser
511-SCT025W120G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

502Na stanie magazynowym

66,74 zł

53,45 zł

46,18 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: 46,66 zł
1 082Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT027H65G3AG

Nr części Mouser
511-SCT027H65G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 082Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

46,66 zł

32,85 zł

28,55 zł

Opakowanie zbiorcze

24,25 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 49,97 zł
1 011Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 14.12.2026
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT040HU120G3AG

Nr części Mouser
511-SCT040HU120G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 011Na stanie magazynowym

600Oczekiwane: 14.12.2026

Odcinek taśmy

49,97 zł

35,00 zł

30,83 zł

Opakowanie zbiorcze

30,23 zł

26,23 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: 40,08 zł
547Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT040W65G3-4

Nr części Mouser
511-SCT040W65G3-4

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

547Na stanie magazynowym

40,08 zł

23,95 zł

22,79 zł

19,74 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 46,31 zł
641Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT040W65G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT040W65G3-4AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

641Na stanie magazynowym

46,31 zł

37,67 zł

31,39 zł

27,99 zł

23,82 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: 31,43 zł
1 779Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT055TO65G3

Nr części Mouser
511-SCT055TO65G3

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 779Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

31,43 zł

22,88 zł

19,09 zł

16,99 zł

15,14 zł

Opakowanie zbiorcze

15,09 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
1: 63,47 zł
14Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 12.10.2026
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT025H120G3AG

Nr części Mouser
511-SCT025H120G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

14Na stanie magazynowym

2 000Oczekiwane: 12.10.2026

Odcinek taśmy

63,47 zł

45,02 zł

42,05 zł

Opakowanie zbiorcze

35,73 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: 35,52 zł
37Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT040TO65G3

Nr części Mouser
511-SCT040TO65G3

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

37Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

35,52 zł

24,98 zł

19,82 zł

Opakowanie zbiorcze

16,81 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
1: 75,98 zł
160Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT012H90G3AG

Nr części Mouser
511-SCT012H90G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

160Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

75,98 zł

54,57 zł

53,02 zł

Opakowanie zbiorcze

45,06 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

12 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: 57,23 zł
202Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT018H65G3AG

Nr części Mouser
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

202Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

57,23 zł

40,42 zł

36,85 zł

Opakowanie zbiorcze

31,26 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 58,78 zł
532Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT018W65G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

532Na stanie magazynowym

58,78 zł

45,49 zł

43,99 zł

42,87 zł

Przeglądaj

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 47,73 zł
353Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT027W65G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT027W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

353Na stanie magazynowym

47,73 zł

35,69 zł

30,83 zł

24,81 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

29 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

51 nC

- 55 C

+ 200 C

313 W

Enhancement

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

SCT040W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 48,12 zł
698Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT040W120G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT040W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

698Na stanie magazynowym

48,12 zł

33,97 zł

25,76 zł

25,33 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: 48,20 zł
629Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT040W120G3AG

Nr części Mouser
511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

629Na stanie magazynowym

48,20 zł

33,71 zł

25,50 zł

25,03 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 46,48 zł
473Na stanie magazynowym
1 200Oczekiwane: 20.04.2026

Produc. Nr części
SCT070W120G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT070W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

473Na stanie magazynowym

1 200Oczekiwane: 20.04.2026

46,48 zł

32,64 zł

29,54 zł

27,86 zł

24,04 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

41 nC

- 55 C

+ 200 C

236 W

Enhancement

AEC-Q101

STMicroelectronics Moduły MOSFET SIC

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie

6 A
7 A
12 A
20 A
30 A
33 A
35 A
36 A
40 A
55 A
56 A
60 A
90 A
91 A
100 A
110 A
112 A
119 A
129 A
239 A

10.5 nC
10.5 mOhms
12 mOhms
15 mOhms
15.8 mOhms
18 mOhms
21 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
37 mOhms
39.3 mOhms
40 mOhms
54 mOhms
63 mOhms

14 nC
22 nC
29 nC
31 nC
32 nC
36 nC
37 nC
37.5 nC
39.5 nC
41 nC
42.5 nC
45 nC
48.6 nC
51 nC
54 nC
56 nC
61 nC
63 nC
73 nC
76 nC

120 W
150 W
175 W
185 W
210 W
221 W
223 W
234 W
236 W
240 W
266 W
278 W
288 W
290 W
300 W
312 W
313 W
375 W
385 W
388 W