Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SCT040H65G3AG

Name: STMicroelectronics SCT040H65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT040H65G3AG
Price: 40.91 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-SCT040H65G3AG

Nr prod.:

SCT040H65G3AG

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

SCT040H65G3AG Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics SCT040H65G3AG

Na stanie magazynowym: 879

Stany magazynowe:: 879 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 21 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	40,91 zł	40,91 zł
	28,35 zł	283,50 zł
	23,94 zł	2 394,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
	22,34 zł	22 340,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	30 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	40 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.2 V
Qg – ładunek bramki:	39.5 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	221 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Marka:	STMicroelectronics
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Produkt:	MOSFETs
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC