Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SCT040W120G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT040W120G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT040W120G3-4AG
Price: 47.5 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-SCT040W120G3-4AG

Nr prod.:

SCT040W120G3-4AG

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

SCT040W120G3-4AG Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics SCT040W120G3-4AG

Na stanie magazynowym: 388

Stany magazynowe:: 388 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 22 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	47,50 zł	47,50 zł
	33,18 zł	331,80 zł
	27,17 zł	2 717,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	HiP-247-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	40 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	54 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 18 V, + 18 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.2 V
Qg – ładunek bramki:	56 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 200 C
Pd – strata mocy:	312 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q100
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	22 ns
Opakowanie:	Tube
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	6 ns
Wielkość opakowania producenta:	600
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	34 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	12 ns