STMicroelectronics Tranzystory IGBT

Wyniki: 205
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Kwalifikacje
Opakowanie
STMicroelectronics IGBTs N Ch 600V 10A
Karta charakterystyki
1 298Na stanie magazynowym
2 500Oczekiwane: 15.06.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 20 A 62 W - 55 C + 150 C STGD10NC60KDT4 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBTs EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT
Karta charakterystyki
1 885Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 420 V 1.35 V - 12 V, 16 V 10 A 150 W - 55 C + 175 C STGD18N40LZ AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade 360 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
Karta charakterystyki
2 490Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

- 12 V, 16 V AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Karta charakterystyki
2 893Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 83 W - 55 C + 175 C STGD5H60DF Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBTs PowerMESH&#34 IGBT
Karta charakterystyki
2 192Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 15 A 63 W - 55 C + 150 C STGD6NC60HDT4 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd
Karta charakterystyki
844Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 20 A 30 W - 55 C + 175 C STGF10H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs PowerMESH&#34 IGBT
Karta charakterystyki
2 270Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 9 A 25 W - 55 C + 150 C STGF10NC60KD Tube
STMicroelectronics IGBTs PowerMESH&#34 IGBT
Karta charakterystyki
1 005Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 11 A 28 W - 55 C + 150 C STGF14NC60KD Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
Karta charakterystyki
140Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 30 A 31 W - 55 C + 175 C STGF15M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
Karta charakterystyki
688Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 20.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 37 W - 55 C + 175 C STGF20H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
Karta charakterystyki
478Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 32.6 W - 55 C + 175 C STGF20M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
Karta charakterystyki
1 131Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 38 W - 55 C + 175 C STGF30M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs PowerMESH&#34 IGBT
Karta charakterystyki
1 022Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 6 A 20 W - 55 C + 150 C STGF6NC60HD Tube
STMicroelectronics IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
Karta charakterystyki
1 004Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.2 V - 20 V, 20 V 15 A 25 W - 55 C + 150 C STGF7NB60SL Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
Karta charakterystyki
437Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 09.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si STGP10M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 600V 15A HiSpd
Karta charakterystyki
459Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 115 W - 55 C + 175 C STGP15H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
Karta charakterystyki
747Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 166 W - 55 C + 175 C STGP20M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp
Karta charakterystyki
403Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.5 V - 20 V, 20 V 60 A 200 W - 55 C + 150 C STGP20NC60V Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
Karta charakterystyki
1 076Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGP20V60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
Karta charakterystyki
218Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 18.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.4 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 40 C + 175 C STGP30H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Karta charakterystyki
931Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 13.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 88 W - 55 C + 175 C STGP5H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
Karta charakterystyki
2 802Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 15 A 56 W - 55 C + 150 C STGP6NC60HD Tube
STMicroelectronics IGBTs N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET
Karta charakterystyki
2 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 15 A 65 W - 55 C + 150 C STGP8NC60KD Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
Karta charakterystyki
185Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 27.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 30 A 259 W - 55 C + 175 C STGW15H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs 1250V 25A trench gate field-stop IGBT
Karta charakterystyki
560Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.25 kV 2.65 V - 20 V, 20 V 60 A 375 W - 55 C + 175 C STGW28IH125DF Tube