STGP20M65DF2

STMicroelectronics
511-STGP20M65DF2
STGP20M65DF2

Produc.:

Opis:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 747

Stany magazynowe:
747 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
15 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
10,41 zł 10,41 zł
5,29 zł 52,90 zł
4,77 zł 477,00 zł
3,84 zł 1 920,00 zł
3,53 zł 3 530,00 zł
3,32 zł 6 640,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Tranzystory IGBT
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
40 A
166 W
- 55 C
+ 175 C
STGP20M65DF2
Tube
Marka: STMicroelectronics
Ciągły prąd kolektora – Ic max.: 40 A
Prąd upływowy bramka–emiter: 250 uA
Rodzaj produktu: IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta: 1000
Podkategoria: IGBTs
Jednostka masy: 1,800 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99