STGF10H60DF

STMicroelectronics
511-STGF10H60DF
STGF10H60DF

Produc.:

Opis:
IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 844

Stany magazynowe:
844 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
15 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
7,44 zł 7,44 zł
3,58 zł 35,80 zł
3,21 zł 321,00 zł
2,55 zł 1 275,00 zł
2,33 zł 2 330,00 zł
2,15 zł 4 300,00 zł
2,03 zł 10 150,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Tranzystory IGBT
RoHS:  
Si
TO-220-3 FP
Through Hole
Single
600 V
1.5 V
- 20 V, 20 V
20 A
30 W
- 55 C
+ 175 C
STGF10H60DF
Tube
Marka: STMicroelectronics
Ciągły prąd kolektora – Ic max.: 10 A
Prąd upływowy bramka–emiter: 250 nA
Rodzaj produktu: IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta: 1000
Podkategoria: IGBTs
Jednostka masy: 2,300 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99