STGP20V60DF

STMicroelectronics
511-STGP20V60DF
STGP20V60DF

Produc.:

Opis:
IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 866

Stany magazynowe:
866 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
15 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
10,12 zł 10,12 zł
5,00 zł 50,00 zł
4,41 zł 441,00 zł
3,61 zł 1 805,00 zł
3,27 zł 3 270,00 zł
3,08 zł 6 160,00 zł
2,90 zł 14 500,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Tranzystory IGBT
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
600 V
2.3 V
- 20 V, 20 V
40 A
167 W
- 55 C
+ 175 C
STGP20V60DF
Tube
Marka: STMicroelectronics
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: CN
Prąd upływowy bramka–emiter: 250 nA
Rodzaj produktu: IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta: 1000
Podkategoria: IGBTs
Jednostka masy: 2,300 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99