Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

Wyniki: 21
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
Microchip Technology SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 30 A TO-247
Karta charakterystyki
45Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual 65 A 1.2 kV 1.5 V 165 A 200 uA - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology SiC Schottky Diodes UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
Karta charakterystyki
158Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 15 A 1.2 kV 1.5 V 109 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Diodes 1200 V, 30 A SiC SBD
Karta charakterystyki
835Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 69 A 1.2 kV 1.5 V 280 A 9 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 30 A TO-220
Karta charakterystyki
862Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220FP-2 Single 30 A 1.2 kV 1.5 V 165 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A SiC SBD
Karta charakterystyki
132Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 10 A 1.2 kV 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A SiC SBD
Karta charakterystyki
225Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 27 A 1.2 kV 1.5 V 75 A 3 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Diodes UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
Karta charakterystyki
43Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 10 A 1.7 kV 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Diodes SIC SBD 700 V 30 A TO-247
Karta charakterystyki
225Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 30 A 700 V 1.5 V 146 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Diodes 700V, 30A SiC SBD
Karta charakterystyki
164Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT D3PAK Single 60 A 700 V 1.5 V 146 A 200 uA - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 30 A TO-268
Karta charakterystyki
45Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT D3PAK Single 30 A 1.2 kV 1.5 V 165 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Diodes 700 V, 50 A SiC SBD
Karta charakterystyki
145Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 700 V 1.5 V 124 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
Karta charakterystyki
52Na stanie magazynowym
120Oczekiwane: 13.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.5 V 290 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube

Microchip Technology SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
Karta charakterystyki
10Na stanie magazynowym
30Oczekiwane: 06.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual 109 A 1.2 kV 1.5 V 290 A - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 50 A TO-268
Karta charakterystyki
65Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT D3PAK Single 50 A 1.2 kV 1.5 V 290 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Diodes UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
Karta charakterystyki
23Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 10 A 700 V 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Diodes 700 V, 10 A SiC SBD
Karta charakterystyki
325Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 700 V 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Diodes 700V, 50A SiC SBD
Karta charakterystyki
44Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT D3PAK Single 50 A 1.2 kV 1.5 V 290 A 200 uA - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology SiC Schottky Diodes 700 V, 20 A SiC SBD
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 7 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 30 A 700 V 1.5 V 146 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 15 A TO-220
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 150
Wielokr.: 150

Through Hole TO-220-2 Single 15 A 1.2 kV 1.5 V 109 A 10 uA - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 20 A TO-220
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 7 tygodni
Min.: 100
Wielokr.: 100

Through Hole TO-220-2 Single 20 A 1.2 kV 1.5 V 115 A 6 uA - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology SiC Schottky Diodes SIC SBD 700 V 10 A TO-268
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT TO-268-3 Single 24 A 700 V 1.5 V 58 A - 55 C + 175 C Tube