Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

MSC030SDA120B

Name: Microchip MSC030SDA120B
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC030SDA120B
Price: 39.56 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

494-MSC030SDA120B

Nr prod.:

MSC030SDA120B

Produc.:

Microchip Technology

Opis:

SiC Schottky Diodes 1200 V, 30 A SiC SBD

Wyświetl w narzędziu Development Tools Selector

Karta charakterystyki:

MSC030SDA120B Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Microchip Technology MSC030SDA120B

Na stanie magazynowym: 835

Stany magazynowe:: 835 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 8 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	39,56 zł	39,56 zł
	36,51 zł	1 095,30 zł
	31,78 zł	3 813,60 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Microchip
Kategoria produktów:	Diody SCHOTTKY SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-2
Konfiguracja:	Single
If – prąd przewodzenia diody:	69 A
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne:	1.2 kV
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.5 V
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia:	280 A
Ir – Prąd wsteczny:	9 uA
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	MSC0
Opakowanie:	Tube
Marka:	Microchip Technology
Pd – strata mocy:	300 W
Rodzaj produktu:	SiC Schottky Diodes
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Diodes & Rectifiers
Vr – napięcie wsteczne:	1.2 kV
Jednostka masy:	8,522 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm² to 15J/cm² and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.