.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

AEC-Q100 Moduły MOSFET SIC

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 17

Zastosowane filtry:

Kwalifikacje = AEC-Q100

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Polaryzacja tranzystora

Liczba kanałów

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Minimalna temperatura robocza

Maksymalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Tryb kanału

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Nr części

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

SCT019HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 79,88 zł
12Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 15.02.2027
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT019HU120G3AG

Nr części Mouser
511-SCT019HU120G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

12Na stanie magazynowym

600Oczekiwane: 15.02.2027

Odcinek taśmy

79,88 zł

59,68 zł

45,61 zł

Opakowanie zbiorcze

45,61 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 600

AEC-Q100

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 61,40 zł
307Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT027W65G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT027W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

307Na stanie magazynowym

61,40 zł

58,72 zł

26,63 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

29 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

51 nC

- 55 C

+ 200 C

313 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

SCT040W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 47,50 zł
388Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT040W120G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT040W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

388Na stanie magazynowym

47,50 zł

33,18 zł

27,17 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 53,51 zł
30Na stanie magazynowym
600Dostępna ilość z otwartych zamówień

Produc. Nr części
SCT055W65G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

30Na stanie magazynowym

600Dostępna ilość z otwartych zamówień

53,51 zł

42,59 zł

38,64 zł

25,49 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 48,85 zł
400Oczekiwane: 31.08.2026
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT027HU65G3AG

Nr części Mouser
511-SCT027HU65G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

400Oczekiwane: 31.08.2026

Odcinek taśmy

48,85 zł

36,46 zł

31,54 zł

Opakowanie zbiorcze

27,89 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 600

AEC-Q100

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

SCTHC250N120G3AG
STMicroelectronics
1: 272,41 zł
1Dostępna ilość z otwartych zamówień
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCTHC250N120G3AG

Nr części Mouser
511-SCTHC250N120G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

Karta charakterystyki

1Dostępna ilość z otwartych zamówień

272,41 zł

220,16 zł

206,43 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

STPAK-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

239 A

10.5 nC

- 10 V, + 22 V

4.4 V

304 nC

- 55 C

+ 200 C

994 W

AEC-Q100

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A

SCT011H75G3AG
STMicroelectronics
1: 106,43 zł
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT011H75G3AG

Nr części Mouser
511-SCT011H75G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A

Karta charakterystyki

Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni

Odcinek taśmy

106,43 zł

87,53 zł

77,07 zł

73,67 zł

Opakowanie zbiorcze

62,54 zł

Przeglądaj

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

AEC-Q100

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A

SCT014HU65G3AG
STMicroelectronics
600: 52,54 zł
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT014HU65G3AG

Nr części Mouser
511-SCT014HU65G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A

Karta charakterystyki

Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni

Opakowanie zbiorcze

52,54 zł

Przeglądaj

Min.: 600
Wielokr.: 600

: 600

AEC-Q100

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A

SCT018HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 76,02 zł
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT018HU65G3AG

Nr części Mouser
511-SCT018HU65G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A

Karta charakterystyki

Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni

Odcinek taśmy

76,02 zł

60,31 zł

51,95 zł

Opakowanie zbiorcze

47,59 zł

Przeglądaj

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

29 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

82.5 nC

- 55 C

+ 175 C

388 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A

SCT018W65G3AG
STMicroelectronics
600: 43,76 zł
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT018W65G3AG

Nr części Mouser
511-SCT018W65G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A

Karta charakterystyki

Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni

43,76 zł

40,49 zł

Przeglądaj

Min.: 600
Wielokr.: 600

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

76 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package

SCT019W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 76,02 zł
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT019W120G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT019W120G3-4AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package

Karta charakterystyki

Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni

76,02 zł

60,82 zł

55,31 zł

54,73 zł

Przeglądaj

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

90 A

26 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

120 nC

- 55 C

+ 200 C

486 W

AEC-Q100

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A

SCT020H120G3AG
STMicroelectronics
1: 66,61 zł
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT020H120G3AG

Nr części Mouser
511-SCT020H120G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni

Odcinek taśmy

66,61 zł

53,34 zł

46,12 zł

46,07 zł

Opakowanie zbiorcze

40,78 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

AEC-Q100

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A

SCT070W120G3AG
STMicroelectronics
1: 43,89 zł
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT070W120G3AG

Nr części Mouser
511-SCT070W120G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni

43,89 zł

35,74 zł

29,82 zł

24,78 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

AEC-Q100

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A

SCTHCT250N12G3AG
STMicroelectronics
448: 206,43 zł
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCTHCT250N12G3AG

Nr części Mouser
511-SCTHCT250N12G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A

Karta charakterystyki

Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni

206,43 zł

Min.: 448
Wielokr.: 448

Through Hole

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

239 A

10.5 mOhms

-10 V, 22 V

4.4 V

304 nC

- 55 C

+ 200 C

994 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an

SCT019H120G3AG
STMicroelectronics
1 000: 38,85 zł
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT019H120G3AG

Nr części Mouser
511-SCT019H120G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an

Karta charakterystyki

Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni

Opakowanie zbiorcze

38,85 zł

Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

: 1 000

AEC-Q100

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A

SCT040W65G3AG
STMicroelectronics
600: 24,65 zł
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT040W65G3AG

Nr części Mouser
511-SCT040W65G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A

Karta charakterystyki

Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni

24,65 zł

22,47 zł

Min.: 600
Wielokr.: 600

AEC-Q100

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055H65G3AG
STMicroelectronics
1 000: 20,66 zł
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT055H65G3AG

Nr części Mouser
511-SCT055H65G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni

Opakowanie zbiorcze

20,66 zł

Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

: 1 000

AEC-Q100

AEC-Q100 Moduły MOSFET SIC

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie