.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STMicroelectronics Moduły MOSFET SIC

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 69

Zastosowane filtry:

Marka = STMicroelectronics

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Polaryzacja tranzystora

Liczba kanałów

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Minimalna temperatura robocza

Maksymalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Tryb kanału

Kwalifikacje

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Nr części

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 46,31 zł
57Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT055W65G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

57Na stanie magazynowym

46,31 zł

37,67 zł

31,39 zł

23,78 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

SCT070H120G3AG
STMicroelectronics
1: 45,02 zł
85Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT070H120G3AG

Nr części Mouser
511-SCT070H120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

85Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

45,02 zł

31,52 zł

27,09 zł

Opakowanie zbiorcze

23,05 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 50,48 zł
73Na stanie magazynowym
1 200Oczekiwane: 16.03.2026

Produc. Nr części
SCT070HU120G3AG

Nr części Mouser
511-SCT070HU120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

73Na stanie magazynowym

1 200Oczekiwane: 16.03.2026

Odcinek taśmy

50,48 zł

35,35 zł

31,30 zł

Opakowanie zbiorcze

26,57 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

SCT1000N170
STMicroelectronics
1: 32,85 zł
592Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT1000N170

Nr części Mouser
511-SCT1000N170

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

592Na stanie magazynowym

32,85 zł

22,49 zł

16,60 zł

15,14 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

6 A

1 Ohms

- 10 V, + 25 V

2.1 V

14 nC

- 55 C

+ 200 C

120 W

Enhancement

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

SCT20N120AG
STMicroelectronics
1: 58,78 zł
510Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT20N120AG

Nr części Mouser
511-SCT20N120AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

510Na stanie magazynowym

58,78 zł

43,39 zł

30,23 zł

Przeglądaj

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

239 mOhms

- 20 V, + 20 V

3.5 V

45 nC

- 55 C

+ 200 C

175 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL90N65G2V
STMicroelectronics
1: 107,84 zł
1 597Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCTL90N65G2V

Nr części Mouser
511-SCTL90N65G2V

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 597Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

107,84 zł

82,52 zł

Opakowanie zbiorcze

70,09 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

18 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 175 C

935 W

Enhancement

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: 63,60 zł
593Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCTW40N120G2VAG

Nr części Mouser
511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

593Na stanie magazynowym

63,60 zł

39,47 zł

35,82 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H

SCTW100N65G2AG
STMicroelectronics
1: 94,77 zł
317Na stanie magazynowym
NRND

Produc. Nr części
SCTW100N65G2AG

Nr części Mouser
511-SCTW100N65G2AG

NRND

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

317Na stanie magazynowym

94,77 zł

86,52 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

100 A

69 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

162 nC

- 55 C

+ 200 C

420 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

SCTWA40N12G24AG
STMicroelectronics
1: 64,93 zł
90Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCTWA40N12G24AG

Nr części Mouser
511-SCTWA40N12G24AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

90Na stanie magazynowym

64,93 zł

46,14 zł

36,77 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

33 A

105 mOhms

- 18 V, + 18 V

5 V

63 nC

- 55 C

+ 200 C

290 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
1: 63,47 zł
9Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 12.10.2026
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT025H120G3AG

Nr części Mouser
511-SCT025H120G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

9Na stanie magazynowym

2 000Oczekiwane: 12.10.2026

Odcinek taśmy

63,47 zł

45,02 zł

42,05 zł

Opakowanie zbiorcze

35,73 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

SCTWA90N65G2V-4
STMicroelectronics
1: 106,86 zł
151Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCTWA90N65G2V-4

Nr części Mouser
511-SCTWA90N65G2V-4

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

151Na stanie magazynowym

106,86 zł

81,44 zł

75,16 zł

67,51 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

119 A

24 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

565 W

Enhancement

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package

SCTWA70N120G2V-4
STMicroelectronics
1: 109,13 zł
28Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCTWA70N120G2V-4

Nr części Mouser
511-SCTWA70N120G2V-4

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

28Na stanie magazynowym

109,13 zł

79,59 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HIP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

91 A

30 mOhms

- 10 V, + 22 V

2.45 V

150 nC

- 55 C

+ 200 C

547 W

Enhancement

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 89,61 zł
600Oczekiwane: 26.10.2026

Produc. Nr części
SCT015W120G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

600Oczekiwane: 26.10.2026

89,61 zł

73,32 zł

64,76 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 67,21 zł
1 200Dostępna ilość z otwartych zamówień

Produc. Nr części
SCT025W120G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 200Dostępna ilość z otwartych zamówień

67,21 zł

53,79 zł

46,53 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 49,97 zł
400Oczekiwane: 04.01.2027
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT027HU65G3AG

Nr części Mouser
511-SCT027HU65G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

400Oczekiwane: 04.01.2027

Odcinek taśmy

49,97 zł

37,28 zł

32,25 zł

Opakowanie zbiorcze

30,53 zł

25,93 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 600

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1: 46,87 zł
996Oczekiwane: 22.04.2026

Produc. Nr części
SCT040H120G3AG

Nr części Mouser
511-SCT040H120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

996Oczekiwane: 22.04.2026

Odcinek taśmy

46,87 zł

32,90 zł

28,60 zł

28,55 zł

Opakowanie zbiorcze

24,25 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 46,27 zł
1 113Oczekiwane: 10.03.2026

Produc. Nr części
SCT055HU65G3AG

Nr części Mouser
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 113Oczekiwane: 10.03.2026

Odcinek taśmy

46,27 zł

32,64 zł

28,29 zł

Opakowanie zbiorcze

24,04 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

185 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an

SCT10N120AG
STMicroelectronics
1: 33,93 zł
844Oczekiwane: 23.11.2026

Produc. Nr części
SCT10N120AG

Nr części Mouser
511-SCT10N120AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

844Oczekiwane: 23.11.2026

33,93 zł

19,22 zł

15,87 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

500 mOhms

- 10 V, + 25 V

3.5 V

22 nC

- 55 C

+ 200 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3-7
STMicroelectronics
1: 62,05 zł
100Dostępna ilość z otwartych zamówień
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT025H120G3-7

Nr części Mouser
511-SCT025H120G3-7

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

100Dostępna ilość z otwartych zamówień

Odcinek taśmy

62,05 zł

47,99 zł

41,50 zł

Opakowanie zbiorcze

41,50 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: 42,10 zł
100Dostępna ilość z otwartych zamówień
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT040W120G3-4

Nr części Mouser
511-SCT040W120G3-4

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

100Dostępna ilość z otwartych zamówień

42,10 zł

34,27 zł

28,55 zł

25,46 zł

21,63 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247

SCTWA90N65G2V
STMicroelectronics
1: 104,40 zł
69Oczekiwane: 16.03.2026

Produc. Nr części
SCTWA90N65G2V

Nr części Mouser
511-SCTWA90N65G2V

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

69Oczekiwane: 16.03.2026

104,40 zł

67,64 zł

67,30 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

119 A

24 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

565 W

Enhancement

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A

SCT011H75G3AG
STMicroelectronics
1 000: 59,90 zł
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT011H75G3AG

Nr części Mouser
511-SCT011H75G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A

Karta charakterystyki

Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni

Opakowanie zbiorcze

59,90 zł

Przeglądaj

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A

SCT014HU65G3AG
STMicroelectronics
600: 52,33 zł
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT014HU65G3AG

Nr części Mouser
511-SCT014HU65G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A

Karta charakterystyki

Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni

Opakowanie zbiorcze

52,33 zł

Oferta

Min.: 600
Wielokr.: 600

Szpula: 600

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A in a TO-LL package

SCT014TO65G3
STMicroelectronics
1 800: 40,59 zł
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 19 tygodni
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT014TO65G3

Nr części Mouser
511-SCT014TO65G3

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A in a TO-LL package

Karta charakterystyki

Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 19 tygodni

Opakowanie zbiorcze

40,59 zł

Min.: 1 800
Wielokr.: 1 800

Szpula: 1 800

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1 000: 36,42 zł
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT018H65G3-7

Nr części Mouser
511-SCT018H65G3-7

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni

Opakowanie zbiorcze

36,42 zł

Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

Szpula: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

STMicroelectronics Moduły MOSFET SIC

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie

6 A
7 A
12 A
20 A
30 A
33 A
35 A
36 A
40 A
55 A
56 A
60 A
90 A
91 A
100 A
110 A
112 A
119 A
129 A
239 A

10.5 nC
10.5 mOhms
12 mOhms
15 mOhms
15.8 mOhms
18 mOhms
21 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
37 mOhms
39.3 mOhms
40 mOhms
54 mOhms
63 mOhms

14 nC
22 nC
29 nC
31 nC
32 nC
36 nC
37 nC
37.5 nC
39.5 nC
41 nC
42.5 nC
45 nC
48.6 nC
51 nC
54 nC
56 nC
61 nC
63 nC
73 nC
76 nC

120 W
150 W
175 W
185 W
210 W
221 W
223 W
234 W
236 W
240 W
266 W
278 W
288 W
290 W
300 W
312 W
313 W
375 W
385 W
388 W