Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SCT070HU120G3AG

Name: STMicroelectronics SCT070HU120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT070HU120G3AG
Price: 51.03 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-SCT070HU120G3AG

Nr prod.:

SCT070HU120G3AG

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

SCT070HU120G3AG Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics SCT070HU120G3AG

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 1 199

Oczekiwane: 02.07.2026
Średni czas produkcji:: 22

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	51,03 zł	51,03 zł
	36,96 zł	369,60 zł
	30,58 zł	3 058,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 600)
	28,52 zł	17 112,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	HU3PAK-7
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	30 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	87 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 18 V, + 18 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.2 V
Qg – ładunek bramki:	37 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	223 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	JP
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	JP
Czas zanikania:	9.9 ns
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	26.6 ns
Wielkość opakowania producenta:	600
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	17.6 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	18.7 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SCT070HU120G3AG Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC Power MOSFETs

STMicroelectronics SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC (Silicon Carbide) Power MOSFET features minimal ON-resistance and excellent switching performance, almost independent of temperature, due to the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SCTW70N120G2V also offers a high-speed, robust intrinsic body diode and extremely low gate charge and input capacities. A high-temperature rating of +200°C enables the improved thermal design of power electronics systems.

Motoryzacyjne tranzystory mocy MOSFET na bazie węglika krzemu

Motoryzacyjne tranzystory MOSFET na bazie węglika krzemu zostały opracowywane przy użyciu zaawansowanej i innowacyjnej technologii SiC MOSFET drugiej i trzeciej generacji firmy STMicroelectronics. Urządzenia te charakteryzują się niską rezystancją włączenia na jednostkę powierzchni i bardzo dobrą wydajnością przełączania. Tranzystory MOSFET charakteryzują się bardzo wysoką temperaturą roboczą (TJ = 200°C) oraz bardzo szybką i wytrzymałą diodą wewnętrzną.

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.