TO-220-3 Tranzystory IGBT

Wyniki: 51
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Kwalifikacje
Opakowanie
STMicroelectronics IGBTs 19 A - 600 V very fast IGBT
Karta charakterystyki
2 200Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 130 W - 55 C + 150 C STGP19NC60HD Tube
IXYS IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-220
Karta charakterystyki
577Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 132 A 600 W - 55 C + 175 C IXYP50N65 Tube
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 10 Amp
Karta charakterystyki
6 266Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.7 V - 20 V, 20 V 20 A 80 W - 55 C + 150 C STGP10NB60S Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
Karta charakterystyki
138Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 21.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube
IXYS IGBTs XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT
Karta charakterystyki
162Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 900 V 3 V - 20 V, 20 V 20 A 125 W - 55 C + 175 C IXYP8N90 Tube
STMicroelectronics IGBTs N-chnl 600V-20A Med Freq
Karta charakterystyki
990Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 130 W - 55 C + 150 C STGP19NC60SD Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
Karta charakterystyki
1 046Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGP20H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd
Karta charakterystyki
1 851Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 20 A 115 W - 55 C + 175 C STGP10H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs PowerMESH&#34 IGBT
Karta charakterystyki
1 971Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 11 A 28 W - 55 C + 150 C STGP14NC60KD Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
Karta charakterystyki
1 483Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 06.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 55 C + 175 C STGP30H60DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs 7A 1200 V Very Fast IGBT Power Bipolar
Karta charakterystyki
3 646Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.2 V - 20 V, 20 V 14 A 75 W - 55 C + 150 C STGP3NC120HD Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Karta charakterystyki
2 931Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 18.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 88 W - 55 C + 175 C STGP5H60DF Tube

onsemi IGBTs ECOSPARK 2 IGNITION IGBT
Karta charakterystyki
3 613Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 400 V 1.1 V - 10 V, 10 V 26.9 A 166 W - 40 C + 175 C FGP3440G2_F085 AEC-Q101 Tube
IXYS IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
Karta charakterystyki
600Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 75 A 500 W - 55 C + 175 C IXYP30N120 Tube
STMicroelectronics IGBTs PowerMESH&#34 IGBT
Karta charakterystyki
2 220Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 07.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 20 A 25 W - 55 C + 150 C STGP10NC60KD Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 600V 15A HiSpd
Karta charakterystyki
394Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 10.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 115 W - 55 C + 175 C STGP15H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
Karta charakterystyki
737Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 166 W - 55 C + 175 C STGP20M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
Karta charakterystyki
866Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGP20V60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
Karta charakterystyki
2 487Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 15 A 56 W - 55 C + 150 C STGP6NC60HD Tube
IXYS IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
Karta charakterystyki
213Na stanie magazynowym
300Oczekiwane: 03.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 40 A 278 W - 55 C + 175 C IXYP20N120 Tube
IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
Karta charakterystyki
258Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 134 A 395 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBTs PowerMESH TM IGBT
Karta charakterystyki
59 518Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 20 A 56 W - 55 C + 150 C STGP10NC60HD Tube
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp
Karta charakterystyki
1 000Oczekiwane: 09.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.5 V - 20 V, 20 V 60 A 200 W - 55 C + 150 C STGP20NC60V Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
Karta charakterystyki
2 855Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.4 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 40 C + 175 C STGP30H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET
Karta charakterystyki
5 000Oczekiwane: 09.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 15 A 65 W - 55 C + 150 C STGP8NC60KD Tube