STMicroelectronics Tranzystory

Wyniki: 1 980
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II
Karta charakterystyki
2 119Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5 N-Channel
STMicroelectronics IGBT Modules ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 25 A trench gate field-stop IGBT M s
Karta charakterystyki
33Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si Through Hole ACEPACK2
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
Karta charakterystyki
1 030Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 Volt 5 Amp
Karta charakterystyki
919Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Karta charakterystyki
926Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Darlington Transistors Eight NPN Array
Karta charakterystyki
36 695Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Darlington Transistors Through Hole PDIP-18 NPN
STMicroelectronics MOSFET Modules ACEPACK 2 power module, fourpack topology, 650 V, 23 mOhm SiC Power MOSFET NTC
Karta charakterystyki
18Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET Modules Press Fit ACEPACK
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
Karta charakterystyki
37Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
Karta charakterystyki
1 003Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
Karta charakterystyki
1 047Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel

STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
Karta charakterystyki
540Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 20.04.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 600

IGBTs Si SMD/SMT HU3PAK-7
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
Karta charakterystyki
766Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBTs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT
Karta charakterystyki
54Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors
STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
Karta charakterystyki
145Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4 NPN


STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a
Karta charakterystyki
568Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
Karta charakterystyki
157Na stanie magazynowym
1 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Karta charakterystyki
197Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
Karta charakterystyki
532Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Karta charakterystyki
338Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
Karta charakterystyki
693Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Karta charakterystyki
602Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Karta charakterystyki
468Na stanie magazynowym
1 200Oczekiwane: 08.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
Karta charakterystyki
194Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 200

MOSFETs Si SMD/SMT ACEPACK SMIT-9 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
Karta charakterystyki
192Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 200

MOSFETs Si N-Channel
STMicroelectronics IGBT Modules SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
Karta charakterystyki
69Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si Through Hole SDIPHP-30