STMicroelectronics Tranzystory GaN FET

Wyniki: 8
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
Karta charakterystyki
695Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
Karta charakterystyki
365Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 800

SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
Karta charakterystyki
1 000Oczekiwane: 08.06.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
Karta charakterystyki
Czas realizacji 52 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W