Wyniki: 34
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
IXYS MOSFETs D2 Depletion Mode Power MOSFETs
Karta charakterystyki
893Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA
Karta charakterystyki
21 815Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
Karta charakterystyki
3 724Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
Karta charakterystyki
1 771Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube

IXYS MOSFETs 6Amps 1000V
Karta charakterystyki
358Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
Karta charakterystyki
428Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs 1700V 2A
Karta charakterystyki
113Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2 A 6.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 150 C 568 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
Karta charakterystyki
3 674Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs TO263 1KV 6A N-CH DEPL
Karta charakterystyki
691Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube

IXYS MOSFETs N-CH 500V 16A MOSFET
Karta charakterystyki
1 116Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 199 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
Karta charakterystyki
809Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
Karta charakterystyki
837Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube

IXYS MOSFETs TO247 1KV 10A N-CH DEPL
Karta charakterystyki
309Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube

IXYS MOSFETs N-CH 200V 16A MOSFET
Karta charakterystyki
545Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 16 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 208 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS 1000V 800MA
Karta charakterystyki
1 306Na stanie magazynowym
750Oczekiwane: 10.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
Karta charakterystyki
427Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs D2 Depletion Mode Power MOSFETs
Karta charakterystyki
94Na stanie magazynowym
450Oczekiwane: 03.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 199 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs 8mAmps 1000V
Karta charakterystyki
5 517Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
Karta charakterystyki
26Na stanie magazynowym
3 050Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 1KV .8A N-CH HIVOLT
Karta charakterystyki
31Na stanie magazynowym
400Oczekiwane: 15.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA
Karta charakterystyki
76Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs TO263 1KV 1A N-CH DEPL
Karta charakterystyki
259Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube

IXYS MOSFETs N-channel MOSFET
Karta charakterystyki
11Na stanie magazynowym
300Oczekiwane: 06.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2 A 6.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
Karta charakterystyki
175Na stanie magazynowym
300Oczekiwane: 01.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA
Karta charakterystyki
520Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube