Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

IXTT10N100D2

Name: IXYS IXTT10N100D2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTT10N100D2
Price: 85.55 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

747-IXTT10N100D2

Nr prod.:

IXTT10N100D2

Produc.:

IXYS

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: 893 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 49 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	IXYS
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	10 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1.5 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.5 V
Qg – ładunek bramki:	200 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	695 W
Tryb kanału:	Depletion
Opakowanie:	Tube
Marka:	IXYS
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	IXTT10N100
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Jednostka masy:	6,500 g