Tranzystory GaN FET – Mouser Polska

Przejdź do głównej treści

+48 71 749 74 00

Część TTI Rodzina specjalistów Skontaktuj się z firmą Mouser +48 71 749 74 00 Opinie

Zmień lokalizację

PLN

Na stanie magazynowym RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 34

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Polaryzacja tranzystora

Liczba kanałów

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Minimalna temperatura robocza

Maksymalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Maksymalna częstotliwość robocza

Minimalna częstotliwość robocza

Technologia

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Wybierz	Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	RoHS	Model ECAD	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Polaryzacja tranzystora	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Maksymalna częstotliwość robocza	Minimalna częstotliwość robocza	Technologia
	GaN FETs DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt T1G4020036-FS Qorvo Ograniczona dostępność	Produc. Nr części T1G4020036-FS Nr części Mouser 772-T1G4020036-FS	Qorvo	GaN FETs DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt Dowiedz się więcej o Qorvo gan rf transistors	Karta charakterystyki			Ograniczona dostępność				NI-650	N-Channel									3.5 GHz	0 Hz	GaN
	GaN FETs 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB TGF2979-SM Qorvo Ograniczona dostępność	Produc. Nr części TGF2979-SM Nr części Mouser 772-TGF2979-SM	Qorvo	GaN FETs 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB Dowiedz się więcej o Qorvo tgf2970	Karta charakterystyki			Ograniczona dostępność			SMD/SMT	QFN-20	N-Channel	1 Channel	32 V	1.8 A				+ 225 C	49 W	12 GHz	0 Hz	GaN
	GaN FETs DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm TGF2954 Qorvo Ograniczona dostępność	Produc. Nr części TGF2954 Nr części Mouser 772-TGF2954	Qorvo	GaN FETs DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm Dowiedz się więcej o Qorvo tgf gan on sic	Karta charakterystyki Uwagi o produktach			Ograniczona dostępność			SMD/SMT	Die	N-Channel		32 V	1.7 A			- 65 C	+ 150 C	34.5 W	15 GHz	0 Hz	GaN-on-SiC
	GaN FETs DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB TGF2023-2-10 Qorvo Ograniczona dostępność	Produc. Nr części TGF2023-2-10 Nr części Mouser 772-TGF2023-2-10	Qorvo	GaN FETs DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB	Karta charakterystyki Uwagi o produktach	Więcej dostępnych informacji		Ograniczona dostępność				Die	N-Channel									14 GHz	0 Hz	GaN-on-SiC
	GaN FETs DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB TGF2023-2-05 Qorvo Ograniczona dostępność	Produc. Nr części TGF2023-2-05 Nr części Mouser 772-TGF2023-2-05	Qorvo	GaN FETs DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB	Karta charakterystyki Uwagi o produktach			Ograniczona dostępność				Die	N-Channel											GaN-on-SiC
	GaN FETs DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB TGF2023-2-20 Qorvo Ograniczona dostępność	Produc. Nr części TGF2023-2-20 Nr części Mouser 772-TGF2023-2-20	Qorvo	GaN FETs DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB	Karta charakterystyki Uwagi o produktach			Ograniczona dostępność				Die	N-Channel											GaN-on-SiC
	GaN FETs DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz TGF2819-FL Qorvo Ograniczona dostępność	Produc. Nr części TGF2819-FL Nr części Mouser 772-TGF2819-FL	Qorvo	GaN FETs DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz	Karta charakterystyki			Ograniczona dostępność			Screw Mount	NI-360	N-Channel		32 V	7.32 A			- 40 C	+ 85 C	86 W	3.5 GHz	0 Hz	GaN
	GaN FETs 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB TGF2978-SM Qorvo Ograniczona dostępność	Produc. Nr części TGF2978-SM Nr części Mouser 772-TGF2978-SM	Qorvo	GaN FETs 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB Dowiedz się więcej o Qorvo tgf2970	Karta charakterystyki			Ograniczona dostępność			SMD/SMT	QFN-20	N-Channel	1 Channel	32 V	1.3 A				+ 225 C	33 W	12 GHz	0 Hz	GaN
	GaN FETs DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt Qorvo T1G4020036-FL T1G4020036-FL Qorvo Ograniczona dostępność	Produc. Nr części T1G4020036-FL Nr części Mouser 772-T1G4020036-FL	Qorvo	GaN FETs DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt Dowiedz się więcej o Qorvo gan rf transistors	Karta charakterystyki			Ograniczona dostępność				NI-650	N-Channel									3.5 GHz		GaN