QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

Wyniki: 41
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 25
Wielokr.: 25

NI-360 N-Channel 28 V 12 A - 7 V, + 2 V - 2.9 V 144 W
Qorvo GaN FETs DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 5
Wielokr.: 5

SMD/SMT DIE N-Channel 80 mA - 40 C + 85 C 8.9 W
Qorvo GaN FETs 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT QFN-16 32 V 250 mA - 40 C + 85 C
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Czas realizacji 16 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
Karta charakterystyki
9Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

NI-650 N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 25
Wielokr.: 25

SMD/SMT NI-360 N-Channel 36 V 12 A 117 W
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 25
Wielokr.: 25

SMD/SMT N-Channel 36 V 12 A 117 W
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Czas realizacji 20 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 25
Wielokr.: 25

Screw Mount NI-360 N-Channel 32 V 7.32 A - 40 C + 85 C 86 W
Qorvo GaN FETs DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

SMD/SMT Die N-Channel 32 V 1.7 A - 65 C + 150 C 34.5 W
Qorvo GaN FETs 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.3 A + 225 C 33 W
Qorvo GaN FETs 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.8 A + 225 C 49 W
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 25
Wielokr.: 25

SMD/SMT NI-360 N-Channel 32 V 7.32 A - 40 C + 85 C 86 W
Qorvo T1G4020036-FL
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 25
Wielokr.: 25

NI-650 N-Channel