QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

Wyniki: 34
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Qorvo GaN FETs DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
Karta charakterystyki
374Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT NI-200 N-Channel 650 mA 12.5 W
Qorvo GaN FETs DC-3.6GHz GaN 90W 48V
Karta charakterystyki
17Na stanie magazynowym
100Oczekiwane: 18.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 100

SMD/SMT DFN-6 48 V - 40 C
Qorvo GaN FETs DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Karta charakterystyki
25Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo GaN FETs 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr
Karta charakterystyki
29Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT QFN-20 32 V 1.8 A
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
Karta charakterystyki
15Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

NI-200
Qorvo GaN FETs DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
Karta charakterystyki
47Na stanie magazynowym
50Oczekiwane: 09.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 400 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 13.5 W
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
Karta charakterystyki
123Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

NI-200
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN
Karta charakterystyki
65Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 28 V 12 A - 7 V, + 2 V - 2.9 V - 40 C + 85 C 144 W
Qorvo GaN FETs DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Karta charakterystyki
29Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged
Karta charakterystyki
48Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

NI-200
Qorvo GaN FETs 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
Karta charakterystyki
95Na stanie magazynowym
700Oczekiwane: 27.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT QFN-16 P-Channel 32 V 600 mA 7.5 W
Qorvo GaN FETs DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
Karta charakterystyki
9Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo GaN FETs DC-4GHz 45W GaN 48V
Karta charakterystyki
500Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 250

SMD/SMT QFN-20 48 V - 40 C 45 W
Qorvo GaN FETs DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Karta charakterystyki
75Oczekiwane: 27.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo GaN FETs 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
Karta charakterystyki
1 550Oczekiwane: 19.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 326 mA + 225 C 8.4 W
Qorvo GaN FETs .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
Karta charakterystyki
355Oczekiwane: 27.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT QFN-EP-16 N-Channel 32 V 557 mA 15.3 W
Qorvo GaN FETs DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Karta charakterystyki
19Oczekiwane: 27.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
100Oczekiwane: 03.08.2026
Min.: 100
Wielokr.: 100

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
Karta charakterystyki
40Oczekiwane: 20.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT QFN-16 32 V 250 mA - 40 C + 85 C
Qorvo GaN FETs 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 18
Wielokr.: 18

SMD/SMT RF-565 N-Channel 50 V 15 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 370 W
Qorvo GaN FETs DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 100
Wielokr.: 100
: 100

SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1.7 A - 40 C + 85 C 67 W
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 100
Wielokr.: 100

NI-360 N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 100
Wielokr.: 100

Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Czas realizacji 16 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 5
Wielokr.: 5

SMD/SMT DIE N-Channel 80 mA - 40 C + 85 C 8.9 W