Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
Taiwan Semiconductor MOSFETs 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET 8 931Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 100 V 160 mA 5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 298 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 50V, 0.26A, Single N-Channel Power MOSFET 8 284Na stanie magazynowym
18 000Oczekiwane: 29.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 260 mA 2.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.6 V 1 nC - 55 C + 150 C 357 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs -60, -0.15, Single P-Channel 2 543Na stanie magazynowym
12 000Oczekiwane: 26.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 150 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 1.9 nC - 55 C + 155 C 357 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs -60, -0.14, Single P-Channel 883Na stanie magazynowym
6 000Oczekiwane: 15.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 140 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 1.9 nC - 55 C + 155 C 298 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel