Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

BSS123W RFG

Name: Taiwan Semiconductor BSS123W RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-BSS123W
Price: 1.01 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

821-BSS123W

Nr prod.:

BSS123W RFG

Produc.:

Taiwan Semiconductor

Opis:

MOSFETs 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET

Karta charakterystyki:

BSS123W RFG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Taiwan Semiconductor BSS123W RFG

Na stanie magazynowym: 8 931

Stany magazynowe:: 8 931 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 19 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	1,01 zł	1,01 zł
	0,605 zł	6,05 zł
	0,374 zł	37,40 zł
	0,273 zł	136,50 zł
	0,244 zł	244,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,168 zł	504,00 zł
	0,147 zł	882,00 zł
	0,122 zł	1 098,00 zł
	0,118 zł	2 832,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Taiwan Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-323-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	160 mA
Rds On – rezystancja dren–źródło:	5 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	2 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	298 mW
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Taiwan Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	51 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	0.5 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	11 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channe
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	20 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	5 ns
Nazwy umowne nr części:	BSS123W
Jednostka masy:	6 mg