Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

BSS84W RFG

Name: Taiwan Semiconductor BSS84W RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-BSS84W
Price: 0.83 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

821-BSS84W

Nr prod.:

BSS84W RFG

Produc.:

Taiwan Semiconductor

Opis:

MOSFETs -60, -0.14, Single P-Channel

Karta charakterystyki:

BSS84W RFG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Taiwan Semiconductor BSS84W RFG

Na stanie magazynowym: 883

Stany magazynowe:: 883

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 6 000

Oczekiwane: 15.07.2026
Średni czas produkcji:: 19

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	0,832 zł	0,83 zł
	0,508 zł	5,08 zł
	0,319 zł	31,90 zł
	0,235 zł	117,50 zł
	0,206 zł	206,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,168 zł	504,00 zł
	0,139 zł	834,00 zł
	0,126 zł	1 134,00 zł
	0,118 zł	2 832,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Taiwan Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-323-3
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	140 mA
Rds On – rezystancja dren–źródło:	8 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Qg – ładunek bramki:	1.9 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 155 C
Pd – strata mocy:	298 mW
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Taiwan Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	TW
Czas zanikania:	78 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	0.5 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	15 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channe
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	21 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	10 ns
Nazwy umowne nr części:	BSS84W
Jednostka masy:	6 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

BSSx N-Channel & P-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor BSSx N-Channel and P-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (R_DS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. The BSSx power MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.