GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.

Wyniki: 33
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
30Na stanie magazynowym
Min.: 10
Wielokr.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 50 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
70Na stanie magazynowym
Min.: 10
Wielokr.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 200 mOhms - 3 V + 225 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
Karta charakterystyki
748Oczekiwane: 16.03.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 2 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 10
Wielokr.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 120 V 12 A 100 mOhms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 10
Wielokr.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 50 V 12.6 A
MACOM GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 50
Wielokr.: 1

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
Karta charakterystyki
Czas realizacji 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 6 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
Karta charakterystyki
Czas realizacji 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C