650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Wyniki: 29
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Karta charakterystyki
3 599Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 450

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 40 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 262 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Karta charakterystyki
3 296Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Karta charakterystyki
1 589Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Karta charakterystyki
400Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Karta charakterystyki
1 282Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
Karta charakterystyki
1 722Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
Karta charakterystyki
509Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Karta charakterystyki
449Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Karta charakterystyki
776Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Karta charakterystyki
312Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
Karta charakterystyki
1 046Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 30

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Karta charakterystyki
454Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Karta charakterystyki
418Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TOLL 650V
Karta charakterystyki
1 364Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT PSOF-8 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Karta charakterystyki
794Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Karta charakterystyki
202Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Karta charakterystyki
773Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 77
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 10 V, + 22.6 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Karta charakterystyki
604Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 60

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 10 V, + 22.6 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S
Karta charakterystyki
2 718Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 272

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 51 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Karta charakterystyki
722Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 72
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Karta charakterystyki
800Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 80
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
Karta charakterystyki
400Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 40

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 67 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Karta charakterystyki
396Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 40

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Karta charakterystyki
450Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 45

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Karta charakterystyki
422Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 105 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 129 W Enhancement EliteSiC