Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

NTHL045N065SC1

Name: onsemi NTHL045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL045N065SC1
Price: 49.85 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTHL045N065SC1

Nr prod.:

NTHL045N065SC1

Produc.:

onsemi

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: 1 802 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
REACH - SVHC:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	66 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	50 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, + 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.3 V
Qg – ładunek bramki:	105 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	291 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	EliteSiC
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	KR
Kraj wytworzenia:	KR
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	7 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	14 S
Opakowanie:	Tube
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	30 ns
Seria:	NTHL045N065SC1
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	26 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	14 ns