Wyniki: 6
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
MACOM GaN FETs Die, DC - 8 GHz, 5W, G28V5-1C
Karta charakterystyki
50Na stanie magazynowym
Min.: 10
Wielokr.: 10
1 Channel 84 V 750 mA 740 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Die, DC - 6 GHz, 45W, G28V5-1C
Karta charakterystyki
50Na stanie magazynowym
Min.: 10
Wielokr.: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 4.5 A 110 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Die, DC - 8 GHz, 15W, G28V5-1C
Karta charakterystyki
50Oczekiwane: 24.04.2026
Min.: 10
Wielokr.: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 1.5 A 440 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Die, DC - 6 GHz, 30W, G28V5-1C
Karta charakterystyki
50Oczekiwane: 15.05.2026
Min.: 10
Wielokr.: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 3 A 220 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Die, DC - 4 GHz, 120W, G28V5-1C
Karta charakterystyki
50Na stanie magazynowym
Min.: 10
Wielokr.: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 6 A 60 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Die, DC - 4 GHz, 60W, G28V5-1C
Karta charakterystyki
50Oczekiwane: 10.04.2026
Min.: 10
Wielokr.: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 6 A 110 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C