Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

WST4300D-GP4

Name: MACOM WST4300D-GP4
Brand: MACOM
SKU: 937-WST4300D-GP4
Price: 993.43 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

937-WST4300D-GP4

Nr prod.:

WST4300D-GP4

Produc.:

MACOM

Opis:

GaN FETs Die, DC - 6 GHz, 45W, G28V5-1C

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

WST4300D-GP4 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o MACOM WST4300D-GP4

Na stanie magazynowym: 50

Stany magazynowe:: 50 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 10 Wielokrotności: 10

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	993,43 zł	9 934,30 zł
100	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	MACOM
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
Styl mocowania:	SMD/SMT
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	84 V
Id – Ciągły prąd drenu:	4.5 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	110 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 2 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	- 2 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 85 C
Marka:	MACOM
Konfiguracja:	Single
Wzmocnienie:	20 dB
Maksymalna częstotliwość robocza:	6 GHz
Minimalna częstotliwość robocza:	DC
Moc wyjściowa:	89.13 W
Produkt:	GaN FETs
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Wielkość opakowania producenta:	10
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN, SiC
Rodzaj:	GaN on SiC Transistor

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

WST4300D-GP4 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.