M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

Wyniki: 46
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Nazwa handlowa

onsemi SiC MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
Karta charakterystyki
2 234Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS PQFN88 650V
Karta charakterystyki
5 818Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

SMD/SMT TDFN-4 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
Karta charakterystyki
639Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 20

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Karta charakterystyki
3 296Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Karta charakterystyki
1 589Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Karta charakterystyki
400Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
Karta charakterystyki
314Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS 20MOHM 900V
Karta charakterystyki
1 859Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 112 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Karta charakterystyki
1 282Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
Karta charakterystyki
1 722Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
Karta charakterystyki
509Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Karta charakterystyki
312Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
Karta charakterystyki
1 046Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 30

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Karta charakterystyki
776Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs 60MOHM 900V
Karta charakterystyki
1 078Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 20

Through Hole TO-247-3 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Karta charakterystyki
418Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs 60MOHM
Karta charakterystyki
1 002Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Karta charakterystyki
454Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Karta charakterystyki
794Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Karta charakterystyki
202Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Karta charakterystyki
68Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TOLL 650V
Karta charakterystyki
1 364Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT PSOF-8 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs 20MOHM 900V
Karta charakterystyki
328Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 503 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
Karta charakterystyki
450Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

TO-247-4 EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Karta charakterystyki
800Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC