600V Single N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 600V Single N-channel power MOSFETs incorporate super-junction technology and operate within the -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and halogen-free. Typical applications include lighting, industrial, and switching applications.

Wyniki: 29
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET
Karta charakterystyki
3 990Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole ITO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 21.3 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
Karta charakterystyki
3 658Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.3 V 7.6 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement Tube
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
Karta charakterystyki
5 000Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 3 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 5.5 V 8.1 nC - 55 C + 150 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET
Karta charakterystyki
4 990Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 21 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 61A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
Karta charakterystyki
300Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61 A 48 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 114 nC - 55 C + 150 C 431 W Enhancement Tube
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 51A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
Karta charakterystyki
300Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 51 A 69 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 86 nC - 55 C + 150 C 417 W Enhancement Tube
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 42A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
Karta charakterystyki
290Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 84 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 68 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 14.5A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
Karta charakterystyki
1 981Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole ITO-220TL-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14.5 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 40 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Tube
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 13A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
Karta charakterystyki
1 988Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole ITO-220TL-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 34 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement Tube
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
Karta charakterystyki
1 984Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole ITO-220TL-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 30 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement Tube
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 9.5A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
Karta charakterystyki
1 985Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole ITO-220TL-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9.5 A 285 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 22 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement Tube
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET
Karta charakterystyki
3 938Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole ITO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 980 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 11 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement Tube
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET
Karta charakterystyki
7 500Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 15 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET
Karta charakterystyki
4 394Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 980 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 11 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET
Karta charakterystyki
2 747Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 15 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET
Karta charakterystyki
3 747Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 980 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 11 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement Tube
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

Si Through Hole ITO-220S-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 165 mOhms 20 V, 30 V 5 V 48 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

Si Through Hole ITO-220S-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 165 mOhms 20 V, 30 V 5 V 48 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

Si Through Hole ITO-220S-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 165 mOhms 20 V, 30 V 5 V 42 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

Si Through Hole ITO-220TL-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 196 mOhms 20 V, 30 V 5 V 42 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 24A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 40 tygodni
Min.: 4 000
Wielokr.: 2 000

Si Through Hole ITO-220TL-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 69 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 89 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Tube
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 21A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 40 tygodni
Min.: 4 000
Wielokr.: 2 000

Si Through Hole ITO-220TL-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 84 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 69 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 47A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs, TOLL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 4 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 84 mOhms 20 V 6 V 69 nC - 55 C + 150 C 431 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 27A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs, PDFN88
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 6 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PDFN88-4 N-Channel 1 Channel 600 V 27 A 110 mOhms 30 V 6 V 56 nC - 55 C + 150 C 178 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 17A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 40 tygodni
Min.: 4 000
Wielokr.: 2 000

Si Through Hole ITO-220TL-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 55 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement Tube