STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Wyniki: 17
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Kwalifikacje
Opakowanie

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
Karta charakterystyki
3 658Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGD6M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
Karta charakterystyki
377Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Max247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 160 A 625 W - 55 C + 175 C STGYA120M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
Karta charakterystyki
965Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGP30M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT
Karta charakterystyki
54Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V HB2 AEC-Q100 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
Karta charakterystyki
1 411Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 38 W - 55 C + 175 C STGF30M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
Karta charakterystyki
675Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 468 W - 55 C + 175 C STGW75M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads
Karta charakterystyki
692Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
Karta charakterystyki
367Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 30 A 136 W - 55 C + 175 C STGB15M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
Karta charakterystyki
465Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 20.04.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGB30M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
Karta charakterystyki
127Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 30 A 31 W - 55 C + 175 C STGF15M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
Karta charakterystyki
2 422Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si STGP10M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
Karta charakterystyki
343Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
Karta charakterystyki
5 000Oczekiwane: 20.07.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGD4M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
Karta charakterystyki
396Oczekiwane: 01.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 488 W - 55 C + 175 C STGWA75M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 10 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 15 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si STGB10M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 15 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 1 000
: 1 000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGB4M65DF2 Reel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 15 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGP6M65DF2 Tube