Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

STGB30M65DF2

Name: STMicroelectronics STGB30M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGB30M65DF2
Price: 12.31 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STGB30M65DF2

Nr prod.:

STGB30M65DF2

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

STGB30M65DF2 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STGB30M65DF2

Na stanie magazynowym: 1 265

Stany magazynowe:: 1 265 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 15 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	12,31 zł	12,31 zł
	8,06 zł	80,60 zł
	5,59 zł	559,00 zł
	4,54 zł	2 270,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
	4,41 zł	4 410,00 zł
	4,19 zł	8 380,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	650 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.55 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	- 20 V, 20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	60 A
Pd – strata mocy:	258 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	STGB30M65DF2
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	STMicroelectronics
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Rodzaj produktu:	IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	IGBTs
Jednostka masy:	1,380 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STGB30M65DF2 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.