Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

STGD6M65DF2

Name: STMicroelectronics STGD6M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGD6M65DF2
Price: 6.22 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STGD6M65DF2

Nr prod.:

STGD6M65DF2

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

STGD6M65DF2 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STGD6M65DF2

Na stanie magazynowym: 2 158

Stany magazynowe:: 2 158 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	6,22 zł	6,22 zł
	3,94 zł	39,40 zł
	2,63 zł	263,00 zł
	2,07 zł	1 035,00 zł
	1,89 zł	1 890,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	1,69 zł	4 225,00 zł
	1,61 zł	8 050,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	DPAK-3 (TO-252-3)
Styl mocowania:	SMD/SMT
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	650 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.55 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	- 20 V, 20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	12 A
Pd – strata mocy:	88 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	STGD6M65DF2
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	STMicroelectronics
Ciągły prąd kolektora – Ic max.:	12 A
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Prąd upływowy bramka–emiter:	250 uA
Rodzaj produktu:	IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	IGBTs
Jednostka masy:	330 mg