Tranzystory MOSFET CoolSiC™ 650V G2

Tranzystory MOSFET CoolSiC™ 650V G2 firmy Infineon wykorzystują wydajność możliwości węglika krzemu, co przekłada się na wyższą wydajność podczas konwersji mocy. Tranzystory  MOSFET CoolSiC 650 V G2 firmy Infineon zapewniają korzyści w różnorodnych zastosowaniach półprzewodnikowych, takich jak fotowoltaika, magazynowanie energii, ładowanie pojazdów elektrycznych prądem stałym, napędy silnikowe i zasilacze przemysłowe. Stacja szybkiego ładowania DC pojazdów elektrycznych wyposażona w CoolSiC G2 pozwala na zmniejszenie strat energii w stosunku do poprzednich generacji nawet o 10%, jednocześnie zapewniając większą wydajność ładowania bez kompromisów w zakresie kształtu.

Wyniki: 53
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
723Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
709Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 800

SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 798Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
676Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

SMD/SMT LHSOF-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
86Na stanie magazynowym
240Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
218Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
1 915Na stanie magazynowym
750Oczekiwane: 23.04.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Karta charakterystyki
6 405Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
1 748Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Karta charakterystyki
980Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
309Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 94 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 499 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
590Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
1 487Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 15 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
1 818Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Karta charakterystyki
1 048Na stanie magazynowym
1 800Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 82 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Karta charakterystyki
1 664Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
1 307Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
1 785Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
1 773Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
1 900Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 33 mOhms 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
1 738Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
1 748Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 58.7 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 277 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
1 972Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 48.1 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
1 349Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
2 000Oczekiwane: 17.04.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 20 mOhms Enhancement CoolSiC