Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IMT65R033M2HXUMA1

Name: Infineon IMT65R033M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMT65R033M2HXUMA
Price: 35.73 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IMT65R033M2HXUMA

Nr prod.:

IMT65R033M2HXUMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

IMT65R033M2HXUMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IMT65R033M2HXUMA1

Na stanie magazynowym: 1 756

Stany magazynowe:: 1 756 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 8 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	35,73 zł	35,73 zł
	26,57 zł	265,70 zł
	22,15 zł	2 215,00 zł
	19,87 zł	9 935,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)
	16,86 zł	33 720,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	HSOF-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	68 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	41 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 7 V, + 23 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5.6 V
Qg – ładunek bramki:	34 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	312 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	4.8 ns
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFETS
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	9.1 ns
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	15 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	8.8 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IMT65R033M2HXUMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Tranzystory MOSFET CoolSiC™ 650V G2

Tranzystory MOSFET CoolSiC™ 650V G2 firmy Infineon wykorzystują wydajność możliwości węglika krzemu, co przekłada się na wyższą wydajność podczas konwersji mocy. Tranzystory MOSFET CoolSiC 650 V G2 firmy Infineon zapewniają korzyści w różnorodnych zastosowaniach półprzewodnikowych, takich jak fotowoltaika, magazynowanie energii, ładowanie pojazdów elektrycznych prądem stałym, napędy silnikowe i zasilacze przemysłowe. Stacja szybkiego ładowania DC pojazdów elektrycznych wyposażona w CoolSiC G2 pozwala na zmniejszenie strat energii w stosunku do poprzednich generacji nawet o 10%, jednocześnie zapewniając większą wydajność ładowania bez kompromisów w zakresie kształtu.