TT Electronics

TT Electronics is a global provider of engineered electronics for performance-critical applications. TT solves technology challenges for a sustainable world. TT benefits from enduring megatrends in structurally high-growth markets including healthcare, aerospace, defense, electrification, and automation. TT invests in R&D to create designed-in products where reliability is mission-critical. Products designed and manufactured include sensors, power management, and connectivity solutions. TT has design and manufacturing facilities in the UK, North America, Sweden, and Asia.
-
TT Electronics High-Surge MELF Resistors (HSMW)Delivers exceptional surge tolerance and controlled failure performance in compact designs.16.06.2025 -
TT Electronics FMW MELF ResistorsUL-recognized fusible wirewound resistors in a compact SMD MELF format.16.06.2025 -
TT Electronics PEAW & PSAW Interchangeable AC Country PlugsCan easily be swapped out for different country markets, making it crucial for travel.04.04.2025 -
TT Electronics Rezystory mocy o niskim oporze LRMAP1216Rezystory bocznikowe cechujące się dużą mocą, niską indukcyjnością i niską wartością SMT.04.11.2024 -
TT Electronics Rezystory Kelvina ze stopu metalu LRMAK o niskim oporzeLow-value SMT shunt resistors in flat chip format with 4 terminals.04.11.2024 -
TT Electronics Zasilacz impulsowy TAA240-27CZapewnia podwójną konfigurację napięcia wyjściowego 12 V i 24 V oraz ciągłą moc wyjściową 240 W.15.10.2024 -
TT Electronics Zasilacze serii PAAZasilacze impulsowe AC/DC oferują ciągłą moc w różnych temperaturach pracy.26.06.2024 -
TT Electronics Obrotowe czujniki położenia PHS11ROferują minimum 1 milion cykli pracy, zakres rezystancji 1KΩ do 100KΩ oraz kąt obrotu 360°.23.10.2023 -
TT Electronics Rezystory chipowe LRF4W o niskich wartościach 4 WRezystory z certyfikatem AEC-Q200 o niskiej impedancji termicznej i szerokich wyprowadzeniach poprawiających wytrzymałość.14.07.2023 -
TT Electronics Rezystory niskooporowe ze stopu metali LRMAHCharakteryzują się zakresem rezystancji od 0,3 mΩ do 10 mΩ, niską indukcyjnością i mocą do 6 W.16.11.2022
