1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs provide superior switching performance and high reliability compared to silicon. These MOSFETs offer low on-resistance that ensures low capacitance and gate charge. The 1200V EliteSiC MOSFETs provide system benefits, including high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. These MOSFETs feature blocking voltage, high-speed switching, and low capacitance and operate at -55°C to +175°C temperature range. The 1200V SiC MOSFETs are AEC-Q101 automotive qualified and are RoHS compliant. These MOSFETs are suited for boost inverters, charging stations, DC-DC inverters, DC-DC converters, onboard chargers (OBCs), motor control, industrial power supplies, and server power supplies.

Wyniki: 26
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Nazwa handlowa

onsemi SiC MOSFETs 20MW 1200V 865Na stanie magazynowym
198,13 zł
152,33 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V 1 390Na stanie magazynowym
74,62 zł
55,66 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 2 390Na stanie magazynowym
51,26 zł
28,56 zł
27,46 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 947Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
76,52 zł
57,16 zł
55,97 zł
Opakowanie zbiorcze
55,97 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 1 830Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
34,58 zł
20,72 zł
19,18 zł
18,26 zł
Opakowanie zbiorcze
18,26 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART 1 733Na stanie magazynowym
28,69 zł
20,02 zł
19,36 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V 1 145Na stanie magazynowym
52,36 zł
29,22 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 660Na stanie magazynowym
48,18 zł
26,62 zł
25,30 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 80 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 1 930Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
45,94 zł
25,83 zł
25,17 zł
23,80 zł
Opakowanie zbiorcze
23,80 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A 1 182Na stanie magazynowym
63,80 zł
40,83 zł
39,07 zł
38,19 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V 205Na stanie magazynowym
104,19 zł
67,41 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART 181Na stanie magazynowym
54,21 zł
28,86 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V 266Na stanie magazynowym
182,47 zł
155,23 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART 224Na stanie magazynowym
107,45 zł
70,97 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 53Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
110,48 zł
82,85 zł
76,52 zł
68,60 zł
Opakowanie zbiorcze
68,60 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS 20MW 1200V 2 163Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
147,44 zł
111,50 zł
111,45 zł
105,56 zł
Opakowanie zbiorcze
105,56 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs 20MW 1200V 755Na stanie magazynowym
146,26 zł
103,14 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 426Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
51,74 zł
30,80 zł
29,13 zł
Opakowanie zbiorcze
29,13 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V 187Na stanie magazynowym
129,93 zł
105,07 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V 363Na stanie magazynowym
450Oczekiwane: 30.10.2026
88,31 zł
55,66 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 477Na stanie magazynowym
38,02 zł
20,86 zł
19,23 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1 84Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
209,57 zł
170,06 zł
151,93 zł
Opakowanie zbiorcze
151,93 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 390Na stanie magazynowym
1 600Dostępna ilość z otwartych zamówień
Odcinek taśmy
49,54 zł
33,18 zł
29,44 zł
26,09 zł
Opakowanie zbiorcze
26,09 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 183Na stanie magazynowym
49,46 zł
27,46 zł
26,22 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 53 tygodni
46,07 zł
Min.: 450
Wielokr.: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 10 V, + 19 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC