Moduły MOSFET SIC – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 25

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Qg – ładunek bramki

Maksymalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Nazwa handlowa

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Nazwa handlowa
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 23,58 zł 1 000Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMBG65R163M1HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMBG65R163M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	1 000Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 23,58 zł 12,45 zł 9,20 zł 9,15 zł Opakowanie zbiorcze 9,15 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	17 A	217 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	85 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R057M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 35,55 zł 1 995Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMBG65R057M1HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMBG65R057M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	1 995Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 35,55 zł 20,68 zł 19,10 zł 17,91 zł Opakowanie zbiorcze 17,03 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	39 A	74 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	161 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R039M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 35,20 zł 335Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMZA65R039M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZA65R039M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	335Na stanie magazynowym	35,20 zł 24,68 zł 23,10 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	50 A	50 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	176 W	Enhancement
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R048M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 38,37 zł 1 019Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMBG65R048M1HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMBG65R048M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	1 019Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 38,37 zł 21,21 zł 19,89 zł 19,58 zł Opakowanie zbiorcze 18,83 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	45 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	183 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 68,95 zł 143Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMBG65R022M1HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMBG65R022M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	143Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 68,95 zł 42,59 zł 41,40 zł Opakowanie zbiorcze 40,30 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	64 A	30 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	67 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 25,52 zł 753Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMBG65R107M1HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMBG65R107M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	753Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 25,52 zł 14,96 zł 13,64 zł 12,85 zł Opakowanie zbiorcze 12,32 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	24 A	141 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	35 nC	- 55 C	+ 175 C	110 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R072M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 28,12 zł 861Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMBG65R072M1HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMBG65R072M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	861Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 28,12 zł 17,69 zł 16,19 zł 15,27 zł Opakowanie zbiorcze 15,09 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	33 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	140 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 55,31 zł 1 701Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMW65R027M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	1 701Na stanie magazynowym	55,31 zł 33,26 zł 32,82 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 40,70 zł 309Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMW65R048M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW65R048M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	309Na stanie magazynowym	40,70 zł 22,13 zł 20,46 zł 20,33 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 39,38 zł 298Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMZA65R048M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	298Na stanie magazynowym	39,38 zł 22,66 zł 20,99 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R260M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 19,32 zł 654Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMBG65R260M1HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMBG65R260M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	654Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 19,32 zł 10,03 zł 9,11 zł 7,96 zł Opakowanie zbiorcze 7,52 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	6 A	346 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 54,82 zł 465Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMW65R030M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW65R030M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	465Na stanie magazynowym	54,82 zł 30,76 zł 29,96 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	58 A	42 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	48 nC	- 55 C	+ 175 C	197 W	Enhancement
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 30,14 zł 314Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMW65R072M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW65R072M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	314Na stanie magazynowym	30,14 zł 17,29 zł 16,10 zł 15,49 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 28,64 zł 463Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMW65R107M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW65R107M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	463Na stanie magazynowym	28,64 zł 15,00 zł 13,82 zł 12,76 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 35,38 zł 128Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMZA65R057M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZA65R057M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	128Na stanie magazynowym	35,38 zł 20,33 zł 18,13 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	35 A	74 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	133 W	Enhancement
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 27,94 zł 14Na stanie magazynowym 720Oczekiwane: 30.11.2026 NRND	Produc. Nr części IMW65R083M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW65R083M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	14Na stanie magazynowym 720Oczekiwane: 30.11.2026	27,94 zł 17,69 zł 16,59 zł 15,18 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	24 A	111 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	104 W	Enhancement
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 60,19 zł 17Na stanie magazynowym 3 600Dostępna ilość z otwartych zamówień NRND	Produc. Nr części IMZA65R027M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZA65R027M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	17Na stanie magazynowym 3 600Dostępna ilość z otwartych zamówień	60,19 zł 34,10 zł 33,79 zł 33,75 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	59 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 55,70 zł 175Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMZA65R030M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZA65R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	175Na stanie magazynowym	55,70 zł 31,28 zł 30,58 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	53 A	42 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	48 nC	- 55 C	+ 175 C	197 W	Enhancement
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R030M1HXTMA1 Infineon Technologies 1 000: 27,68 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni NRND	Produc. Nr części IMBG65R030M1HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMBG65R030M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni	Opakowanie zbiorcze 27,68 zł	Min.: 1 000 Wielokr.: 1 000 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	63 A	42 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R039M1HXTMA1 Infineon Technologies 1 000: 23,32 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni NRND	Produc. Nr części IMBG65R039M1HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMBG65R039M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni	Opakowanie zbiorcze 23,32 zł	Min.: 1 000 Wielokr.: 1 000 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	54 A	51 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	211 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R083M1HXTMA1 Infineon Technologies 1 000: 14,70 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni NRND	Produc. Nr części IMBG65R083M1HXTMA1 Nr części Mouser 726-IMBG65R083M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni	Opakowanie zbiorcze 14,70 zł	Min.: 1 000 Wielokr.: 1 000 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	28 A	111 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	44 nC	- 55 C	+ 175 C	126 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R039M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 44,22 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni NRND	Produc. Nr części IMW65R039M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW65R039M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni	44,22 zł 24,24 zł 22,48 zł 22,35 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	46 A	50 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	176 W	Enhancement
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 38,19 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni NRND	Produc. Nr części IMW65R057M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW65R057M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni	38,19 zł 23,41 zł 19,45 zł 17,82 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	35 A	74 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	133 W	Enhancement
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 33,13 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni NRND	Produc. Nr części IMZA65R072M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZA65R072M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni	33,13 zł 19,49 zł 16,15 zł 16,10 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	28 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies 240: 17,16 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni NRND	Produc. Nr części IMZA65R083M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZA65R083M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni	17,16 zł 15,00 zł	Min.: 240 Wielokr.: 240	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	26 A	111 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	104 W	Enhancement

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie

Udostępnij to

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Zastosowane filtry: